
IGBTモジュールは、IGBTチップとFWDチップで構成されています。これらのセクションからの電力損失のsur mは、モジュールの合計電力損失と等しくなります。電力損失は、オン状態損失またはスイッチング損失のいずれかとして評価できます。電力損失係数の図を以下に示します。

IGBTおよびFWDセクションからのオン状態の電力損失は出力特性を使用して計算でき、スイッチング損失はスイッチング損失対コレクタ電流特性から計算できます。これらの電力損失計算を使用して、ジャンクション温度Tjを最大定格値未満に保つのに十分な冷却を設計します。ここで使用するオン電圧とスイッチング損失の値は、標準的なジャンクション温度Tj(125°Cまたは150°Cを推奨)に基づいています。特性データについては、モジュールの仕様書を参照してください。